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Name: 上海伯東霍爾離子源 eH 1000
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美國 KRI 離子源: 考夫曼離子源霍爾離子源

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產(chǎn)品簡介

上海伯東代理美國* KRI 霍爾離子源 eH 1000 高效氣體利用, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.

詳情介紹

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KRI 霍爾離子源 eH 1000
上海伯東代理美國* KRI 霍爾離子源 eH 1000 高效氣體利用, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便; 無需水冷
• 高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)	eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300V VDC
- 離子源直徑	~ 5 cm
- 陽極結(jié)構(gòu)	模塊化
電源控制	eHx-30010A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動(dòng)或快接法蘭
- 高度	4.0'
- 直徑	5.7'
- 加工材料	金屬電介質(zhì) 半導(dǎo)體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	10-36”
- 自動(dòng)控制	控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 1000 應(yīng)用領(lǐng)域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預(yù)清洗 Load lock preclean
• 預(yù)清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

霍爾離子源 Gridless 提供高電流低能量 end-Hall 系列產(chǎn)品,包含寬束霍爾離子源和電源控制器,整體設(shè)計(jì),易于系統(tǒng)集成, 霍爾離子源典型應(yīng)用：輔助鍍膜 IABD,鍍膜預(yù)清潔 ISSP,離子蝕刻等