國產高端半導體檢測設備正式發布：多項性能指標超越國際同類產品

2026-06-30 10:31:28來源：快科技關鍵詞：集成化電性失效分析設備半導體檢測設備閱讀量：26706

導讀：合肥場景重點服務企業安徽凌光紅外科技有限公司（以下簡稱凌光紅外）正式發布LUXETVERITAS微光顯微鏡及激光誘導電阻變化（EMMI OBIRCH）二合一顯微鏡。這款國內首創的集成化電性失效分析設備的正式發布，將為集成電路產業自主可控注人強動能。

　　6月29日消息，據“科大硅谷”公眾號發文，合肥場景重點服務企業安徽凌光紅外科技有限公司（以下簡稱凌光紅外）正式發布LUXETVERITAS微光顯微鏡及激光誘導電阻變化（EMMI+OBIRCH）二合一顯微鏡。

　　這款國內首創的集成化電性失效分析設備的正式發布，將為集成電路產業自主可控注人強動能。

　　當前，全球半導體產業步入先進制程時代，芯片內部結構愈發精密復雜，電性失效分析成為芯片研發迭代、良率提升與品質保障的核心環節。

　　在此背景下，凌光紅外深耕光學成像與精密檢測領域，堅持正向研發，持續攻關電性失效分析核心技術，接連推出鎖相紅外顯微鏡、微光顯微鏡、激光誘導電阻變化顯微鏡等系列產品，多項性能指標超越國際同類產品。此次推出的二合一集成設備，更是實現技術融合創新，填補國內市場空白。

　　據介紹，LUXET VERITAS二合一顯微鏡深度融合EMMI微光檢測與OBIRCH激光誘導電阻變化兩大主流失效分析功能，一機兩用、高度集成，全面覆蓋半導體全鏈條檢測需求。

　　在核心硬件與性能參數上，設備搭載深度制冷近紅外相機與大口徑自研1.35倍物鏡，EMMI模塊可精準定位納安級微弱漏電，高效識別PN結擊穿、閂鎖效應、柵極氧化層漏電、多晶硅缺陷等典型失效問題。

　　OBIRCH模塊采用1300nm標準激光波段、500mW額定功率，可實現pA級超高精度電流放大測量，精準排查金屬線路、導通孔、接觸孔阻值異常等隱蔽缺陷。

　　自2025年落地合肥科大硅谷片區以來，凌光紅外加速推進核心技術產業化，多款產品先后獲評合肥市“三新”產品、安徽省首臺套重大技術裝備國際先進認定。

　　依托產業鏈專場場景對接會，企業與合肥半導體產業鏈鏈主企業實現精準對接，并逐步建立起穩定合作關系，為國產高端半導體檢測設備在本地產業鏈中的應用推廣奠定了堅實基礎。

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