化學氣相沉積 CVD

MPCVD-50簡介

化學氣相沉積CVD系統設計用于多種用途，例如，在粉末材料上進行碳涂層，用氨氣摻雜氮氣，合成層狀物質（例如2DMoS2f膜），合成納米碳材料（例如CNT和石墨烯）。

特征

• 配備液體燃料（乙醇）的導入單元，以適應無法設置氫氣的情況
• 配備3-line質量流量氣體控制器
• 配備真空系統，可用于真空工藝
• 緊湊而穩定，可以放在桌子上
• 擴展性好，適用于各種CVD工藝

MPCVD-Powder簡介

化學氣相沉積CVD系統設計用于在粉末Si材料（通常用作鋰電池的負極）上覆蓋碳膜。通過在化學氣相沉積CVD過程中旋轉反應石英管，可以攪拌粉末樣品，從而可以均勻沉積碳膜。

特征

• 石英管可以通過電機驅動的旋轉裝置旋轉
• 旋轉速度可以在不同的水平上進行調節
• 均勻的碳膜可以沉積在粉末硅或陶瓷材料上
• 其他功能將類似于MPCVD-50

MPCVD-Slide 簡介

化學氣相沉積CVD系統設計為通過配備滑動爐和長反應石英管來實現批量生產。預先在長反應管中放置大量樣品，然后爐子沿電動機驅動的石英管連續割草，以使所有樣品在相同的化學氣相沉積CVD條件下連續受到CVD的作用。

特征

• 在不依賴于上游流或下游流的情況下，實現均勻的涂層
• 電機驅動的滑動控制單元和滑動速度可調
• 易于收集處理過的樣品而不會丟失

MPCVD-Graphene 簡介

一種爐式熱化學氣相沉積CVD系統，配備基于快速將爐滑出熱區的快速加熱/冷卻機制，旨在讓用戶在基底（Ni或Cu箔）以及CNTforests或CNT上生長石墨烯膜粉末。

特征

• 配有爐子滑動機構，可快速加熱/冷卻樣品
• 配備一個特殊的熱電偶傳感器，可直接監控樣品溫度
• 配備三個流量氣體控制器
• 緊湊的尺寸，穩定的底盤
• 也可以合成其他碳納米材料（碳納米管，碳微線圈）

MPCVD-Plasma簡介

在上游裝有RF線圈的熱化學氣相沉積CVD系統，可有效地使輸入氣體或前體離子化，并有助于有效的化學氣相沉積CVD反應。

MPCVD-Laser 簡介

原始樣品室充滿了特殊的氣體（N2，C2H2或H2或NH3等），被應用于商用光纖激光雕刻機，以按照您設計的圖案進行特殊的表面處理。

• 當C2H2填充到腔室中時，碳膜可以沉積在基板上。
• 當將NH 3填充到腔室內時，將形成氮化膜。
• 當H2填充到腔室中時，氧化物可以在表面還原。
• 當N2填充到腔室中時，可以在激光處理過程中避免氧化。

　樣品室的窗口對光纖激光束是透明的。

MPCVD-ZnO 簡介

爐型熱化學氣相沉積CVD系統，用于在基板上形成ZnO納米棒。

特征

• 工藝條件和系統設計基于獨特的增長機制
• 垂直排列的ZnO納米棒可以在藍寶石或Si襯底上生長
• 結構緊湊