X113高精度儀器級氮化鎵霍爾傳感器

強磁場測量儀器(0 - 20T)

型號

原理

類型

軸數

DC精度

量程

分辨率

X113

霍爾

霍爾元件

1

<>

15T

TC: 30ppm/K

G80

霍爾

手持式

1

2%

2T

10μT

G81

霍爾

手持式

1

0.8%

10T

1μT

G82

霍爾

手持式-高頻

1

0.8%

10T

1μT

G83

霍爾

手持式

3

0.8%

10T

1μT

G92

霍爾

手持式

1

1%

10T

10μT

G93

霍爾

手持式

3

1%, 0.5%

20T

1μT

G201

霍爾

臺式

1

0.2%

10T

1μT

G203

霍爾/磁阻

臺式

3

0.2%

10T

10nT

G401

霍爾

臺式

1

0.04%

10T

1μT

G403

霍爾

臺式

3

0.04%

10T

1μT

GSP301A

霍爾

模擬變送器

1

1%, 0.2%

10T

Output: ±3V

GSP301D

霍爾

數字變送器

1

1%, 0.2%

10T

1μT

GSP303D

霍爾

數字變送器

3

1%, 0.2%

20T

1μT

GSP303D-S

霍爾

數字變送器

3

0.5%, 0.1%

3T

1μT

磁場測試系統

GAS3000

陣列磁場檢測系統，同步檢測多達128個位置的磁場

GMS980

高精度高斯計標定系統 （高精度特斯拉計檢定裝置）

弱磁場測量儀器(0- 2mT)

弱磁場高斯計

型號

原理

類型

軸數

DC精度

量程

分辨率

GMR61

磁阻

手持式

1

0.8%

600μT

10nT

GMR63

磁阻

手持式

3

0.8%

600μT

10nT

GF601

磁通門

手持式

1

0.5%

1mT

0.1nT

GF603

磁通門

手持式

3

0.25%

1mT

0.1nT

GF633

磁通門

臺式

3

0.1%

100μT

0.01nT

GFP703

磁通門

智能變送器

3

0.5%

1mT

0.1nT

GFP703S

磁通門

頻譜分析儀

3

0.5%

1mT

0.01nT

GFP803

磁通門

智能變送器

3

0.2%

1mT

0.1nT

交流磁場測量(DC- 1MHz)

型號

原理

類型

軸數

AC精度

量程

頻率響應

AMS-2K

交流線圈

模擬傳感器

1

1%

3mT

30Hz- 2kHz

AMS-1M

交流線圈

模擬傳感器

1

1%

3mT

2kHz- 1MHz

G1000

磁阻

智能變送器

3

DC- 1%   AC- 2%

400μT/ Axis

DC- 1MHz

GA1000

磁阻

手持式

3

2%

400μT/ Axis

30Hz- 1MHz

GSP301HFA

磁阻

模擬變送器

1

1%

150μT

20Hz-1.2MHz

GSP303HFA

磁阻

模擬變送器

1

1%

150μT

20Hz-1.2MHz

磁通門傳感器

型號

原理

類型

軸數

噪聲等級

量程

輸出

F901

磁通門

經濟型

3

10 to 20pT

1000μT

±10V,單端

F902

磁通門

低噪聲

3

<>

100μT

±10V,單端

F903

磁通門

低功耗

3

10 to 20pT

200μT

±3V,差分

F904

磁通門

低功耗|低噪聲

3

<>

100μT

±3V,差分

F905

磁通門

高性能|低噪聲

3

<>

100μT

±10V,單端

F906

磁通門

低功耗

3

10 to 20pT

100μT

±3V,差分

F23

磁通門

分體式|大量程

3

<>

1500μT

±10V,單端

F53

磁通門

高溫型

3

≤300pT@175℃

100μT

±5V,差分

磁通門傳感器數據采集單元

FDU301

可連接1個三軸磁通門傳感器

ASA1000

可連接2-126個單軸磁通門傳感器 或者2-42個三軸磁通門傳感器

AFS

陣列磁通門傳感器檢測系統，可連接多個磁通門磁場變送器

GMR-16

微型弱磁場傳感器陣列，可同步采集2-16個微型弱磁場傳感器的數據

GR100

數字式三軸磁通門梯度儀

備注：

1、 磁場單位換算：1T= 10kG; 1mT= 10G; 1μT= 10mG;   1nT= 10μG

2、 點擊上表左側型號，可查閱相應型號的產品資料

Operating temperature

TA

– 40 ? + 100

°C

Storage temperature

Tstg

– 60 ? + 130

°C

Supply current

I1

30

mA

Thermal conductivity, soldered in air

GthC GthA

3 2.2

3 1.5

mW/K mW/K

Nominal supply current

I1N

20

30 

mA

Open-circuit hall voltage

I1 = I1N, B = 0.1 T

V20

7.0

9.0 

mV

Ohmic offset voltage

I1 = I1N, B = 0 T

VR0

0.1

0.3

mV

Active area (in the sensor center)

0.07

mm²

Linearity of Hall voltage

B = 0.1 ? 2.0 T

FL

0.05

%

Input resistance      

B = 0 T

R10

60

75 

W

Output resistance    

B = 0 T

R20

60

75 

W

Temperature coefficient of the open-circuit Hall-voltage

I1 = I1N,  B = 0.5 T

TCV20

-30

ppm/K

Temperature coefficient of the internal resistance   

B = 0 T

TCR10, R20

0.08

%/K

Temperature coefficient of ohmic offset voltage

I1 = I1N,  B = 0 T

TCVR 0

1

4

μT/K

Noise figure

F

10

dB

Range

10

15 

Tesla