單壁碳管生長爐 高溫爐

單壁碳納米管（SWCNT）是由單層石墨烯（graphene）卷曲形成的一維管狀納米材料，直徑通常為 0.4–3 nm，長度可達數微米甚至厘米級。其結構類似于由碳六元環（苯環）組成的蜂窩狀圓柱體，兩端通常由富勒烯（如C??）半球封口。

目前工業生產主要生產方法為：化學氣相沉積法（CVD, Chemical Vapor Deposition）

   原理：碳氫化合物（如甲烷、乙烯）在金屬催化劑（Fe、Co、Ni等）表面分解，碳原子在基底上生長為SWCNTs。

   浮動催化劑CVD：催化劑前驅體（如二茂鐵）與碳源（如乙醇或甲烷）在氣相中反應。

   優點：可控性強，適合大規模生產，可定向生長。

我司自主研發單壁碳管生長爐 高溫爐 經過多次改進升級，目前達到連續生產、產量高、能耗低標準，可直接應應用于生產中。

產品特點：

1. 采用不銹鋼防爆式設計，局部設有水冷層保護，內部低溫層采用加厚設計，能耗遠低于同類產品。

2. 采用集成一體式設計，操作便捷，外形美觀。

3. 發熱體采用品牌元件，使用壽命顯著提高，優于同類產品。

4. 采用多級霧化超聲進料設計，進料均勻一致，有效控制定向生長，提高批次一致性。

5. 設備整體設有真空系統接口，可快速置換爐內氛圍。

6. 設備安裝有易燃易爆氣體探測器，可全天候檢測周圍環境。

7. 收料倉內安裝有轉軸收料系統，可實現不停機連續式收料。

8. 多重安全連鎖保護機制，超溫報警、段偶保護、水壓不足保護、氣壓過大保護、氣體泄露保護、漏電保護等。

單壁碳管生長爐 高溫爐 型號：