Name: SiC紫外光電二極管-UV-ABC 波長(zhǎng)延長(zhǎng)型
Availability: InStock

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SiC紫外光電二極管-UV-ABC 波長(zhǎng)延長(zhǎng)型

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見(jiàn)光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見(jiàn)光光盲紫外探測(cè)器的使用材料。SiC探測(cè)器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長(zhǎng)期工作。UV-ABC的紫外波段位于220-390nm.芯片尺寸0.1 mm2.品牌:德國(guó)IFW型號(hào): JEA0,1X; JEA0,1X-S; JEA0,1X-SS

產(chǎn)品介紹

品牌介紹：

IFW致力于基于Si硅和SiC碳化硅的光電二極管的研發(fā)和生產(chǎn). 公司創(chuàng)立30多年來(lái)，產(chǎn)品行銷(xiāo)于世界各地，甚至在美國(guó)宇航局“好奇號(hào)"火星探測(cè)器上使用。

產(chǎn)品特征:

碳化硅（SiC）材料
芯片有效面積0.1mm2
光譜響應(yīng)范圍從222到392nm，峰值波長(zhǎng)292 nm
芯片穩(wěn)定性高
TO-5,TO-18, TO-52封裝

光譜圖:

技術(shù)參數(shù):

芯片面積	0.1 mm²
峰值波長(zhǎng)的典型響應(yīng)度Smax	0.190A/W
波長(zhǎng)范圍（S=0.1*Smax）	222-392nm
峰值波長(zhǎng)	292nm
暗電流（1V反向偏壓）Id	10fA
結(jié)電容C	10pF
工作溫度	-40～+150℃
儲(chǔ)存溫度	-40～+150℃
焊接溫度（3S）	260℃
反向電壓VRmax	20V

附注：

其他可選芯片面積

0.1 mm2;0.25 mm2;2 mm2;5 mm2;

典型應(yīng)用：

工業(yè)鍋爐等火焰檢測(cè)
水處理
臭氧和污染物光譜分析
太陽(yáng)光中的紫外線強(qiáng)度檢測(cè)
紫外線燈管的紫外線強(qiáng)度檢測(cè)

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